碳化硅砖是以碳化硅为主要原料制成的。SiC为共价结合，不存在通常所说的烧结性，而靠化学反应生成新相达到烧结，即反应烧结。碳化硅砖按结合方式不同分为粘土结合碳化硅砖，结合碳化硅砖，氧氮化硅结合碳化硅砖，氮化硅结合碳化硅砖，Sialon结合碳化硅砖和重结晶碳化硅砖。
1、粘土结合碳化硅砖，用黑色碳化硅做原料，结合性好的软质粘土，纸浆废液做结合剂制造的制品。一般结合粘土10％～15％，纸浆废液3％～5％，以最大堆积密度计算碳化硅的大、中、细种颗粒组成。混料时先加入碳化硅的颗粒和细粉，再加入粘土细粉，干混3min再加入纸浆废液(密度为1.26～1.28g／cm3)4％进行混练，困料12h后的泥料过4mm孔径的筛网，用压砖机成型，砖坯体积密度为2.5～2.7g／cm3。砖坯自然干燥2～4天，1400℃烧成。
2、氮化硅结合碳化硅砖，用碳化硅和硅粉做原料，经氮化烧成的制品。
碳化硅原料含SiC大于97％，其泥料的碳化硅颗粒配比为：粗：中：细=5：1：4。硅粉含大于98％，小于10μm的占80％以上，最大颗粒不能超过20μm。碳化硅颗粒与硅粉经过配料，混合，成型，干燥后，砖坯放入氮化炉中烧成，在烧成过程中通入氮气，炉内温度，压力，气氛均要严格控制。其工艺参数为：氮化气体压力为0.02～0.04MPa，炉内气氛含O2量小于0.01％，最终氮化温度为1350～1450℃，氮化总时间随制品形状，尺寸不同而异。
3、β-SiC结合碳化硅砖，将碳化硅，硅粉和炭粉按一定比例配合，混合，成型，在1400℃下还原气氛中烧成。大多数采用埋碳烧成。烧成过程中，产生一种以α—SiC为骨架，以细品粒β一SiC为基质的β一SiC结合碳化硅砖。β一SiC是在烧成过程中，硅粉与炭粉反应生成的。这种产品通常含有少量残留硅和碳。
4、氧氮化硅结合碳化硅砖，配料中硅粉少于Si3N4结合砖的配比，成型后在富N2气氛中(要求有一定的O2分压)烧成，温度为1350～1400℃。成品是一种以α—SiC为骨架，以Si2ON2为基质的氧氮化硅结合碳化硅砖。基质中往往存在少量Si和Si3 N4。
5、Sialon结合碳化硅砖，按一定粒度配比的碳化硅中配入Si3N4和Al203粉，加入结合剂混练，成型后在还原气氛中烧成。制得以α—SiC为骨架，以Sialon为基质的耐火制品。由于Sialon基质存在于粒子之间，制品强度提高，抗热震性增强。
6、重结晶碳化硅制品，由100％α—SiC构成，无第二相存在。
原料含SiC 99.5％以上，采用最大堆积密度的颗粒级配，高压成型，与空气隔绝烧成的电炉中烧成，温度在2100℃以上，要求电炉能烧到2500℃，SiC发生蒸发凝结，导致无收缩的自结合结构。
碳化硅砖热导率高，有良好的耐磨性、抗热震性、耐侵蚀性。可用于铝电解槽内衬、熔融铝导管和陶瓷窑用窑具、大中型高炉炉身下部、炉腰和炉腹、铝精炼炉炉衬、锌蒸馏罐衬等。